2.5.2 数据存储器

数据存储器存储随机数据，也分为片内、片外两部分。

STC片内数据存储器为静态数据存储器（SRAM），有512B或1280B。片内RAM不够用时，在片外可扩展至64KB SRAM。

1.片内数据存储器

STC89系列内部SRAM分为两个地址空间，即内部RAM（256B）和内部扩展RAM（其余字节）。主要使用的是内部RAM。

内部RAM共256B，其结构如图2-4所示。片内数据存储器分为3个部分：低128B（与传统的8051兼容），高128B及特殊功能寄存器区。低128B RAM可以直接寻址和间接寻址，高128B RAM只能间接寻址。特殊功能寄存器区和高128B RAM的地址范围相同，但物理上是相互独立的，靠不同的寻址方式来区别。特殊功能寄存器只能用直接寻址访问。

图2-4 内部RAM结构

00H～1FH的32个单元是4组通用工作寄存器区，每区包含8B，为R7～R0。可通过指令改变PSW的RS1、RS0两位来选择（见表2-2）。

20H～2FH的16个单元的128位可位寻址，也可字节寻址。

30H～7FH单元只能字节寻址，用作随机存取数据，以及作为堆栈区。

2.片外数据存储器

当片内RAM不够用时，可以在片外扩展，最多可外扩64KB的RAM。片内RAM与片外RAM两个空间是相互独立的，通过使用不同的访问指令来访问存储区，不会发生访问冲突。